[股票购买]第三代半导体氮化镓GaN 氮化镓GaN概念股有哪些？
今天聊一聊第三代半导体：氮化镓GaN。两家核心公司的业务在文章底部。 根据材料的不同，现代半导体已经发展到第三代。 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体。它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。 第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)，以及三元化合物半导体材料，还有一些固溶体半导体材料、玻璃半导体(又称非晶态半导体)材料、有机半导体材料等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。 第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度Eg>2.3eV)的半导体材料。 与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。 氮化镓(GaN)优势、用途 极其稳定的化合物，坚硬和高熔点材料，熔点为 1700℃。具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。 通常用于微波射频、电力电子、光电子三大领域。微波射频包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用;电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用;光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。 1、氮化镓(GaN)在微波射频(5G)领域 随着5G到来，GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波(24GHz以上)小基站中找到一席之地。GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年的约20亿美元，这主要受电信基础设施和国防两个方向应用推动，卫星通信、有线宽带和射频功率也做出了一定贡献。 随着新的基于GaN的有源电子扫描阵列(AESA)雷达系统的实施，基于GaN的军用雷达预计将主导GaN军事市场，从2018年的2.7亿美元增长至2024年的9.77亿美元，CAGR达 23.91%。 GaN无线基础设施的市场规模将从2018年的3.04亿美元增长至2024年的7.52亿美元，CAGR达16.3%。 GaN有线宽带市场规模从2018年的1,550万美元增长至2024年的6,500万美元，CAGR达 26.99%。 GaN射频功率市场规模从2018年的200万美元增长至2024年的10,460万美元，CAGR达 93.38%，具有很大成长空间。
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